首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1139篇
  免费   94篇
  国内免费   144篇
化学   465篇
晶体学   9篇
力学   111篇
综合类   35篇
数学   530篇
物理学   227篇
  2024年   1篇
  2023年   10篇
  2022年   29篇
  2021年   35篇
  2020年   28篇
  2019年   37篇
  2018年   26篇
  2017年   46篇
  2016年   51篇
  2015年   39篇
  2014年   69篇
  2013年   88篇
  2012年   47篇
  2011年   67篇
  2010年   52篇
  2009年   66篇
  2008年   51篇
  2007年   72篇
  2006年   59篇
  2005年   53篇
  2004年   58篇
  2003年   53篇
  2002年   55篇
  2001年   40篇
  2000年   42篇
  1999年   39篇
  1998年   38篇
  1997年   17篇
  1996年   22篇
  1995年   15篇
  1994年   17篇
  1993年   8篇
  1992年   11篇
  1991年   7篇
  1990年   3篇
  1989年   8篇
  1988年   2篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   4篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1981年   2篇
  1978年   1篇
  1976年   1篇
  1974年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有1377条查询结果,搜索用时 57 毫秒
1.
Mono‐ and octa‐azobenzene‐functionalized cage silsesquioxanes were easily synthesized by the reaction of 4‐bromoazobenzene with monovinyl‐substituted octasilsesquioxane and cubic octavinylsilsesquioxane through the Heck coupling reaction. Excited‐state energies obtained from time‐dependent density functional theory (TDDFT) and the CAM‐B3LYP functional correlate very well with experimental trans–cis photoisomerization results from UV/Vis spectroscopy. These azobenzene‐functionalized cages exhibit good thermal stability and are fluorescent with maximum emission at approximately 400 nm, making them potential materials for blue‐light emission.  相似文献   
2.
文[1]提出了两个DEA的逆问题,并用搜索法来解.而本文根据所证的定理,对每个问题一般只要解二、三个线性规划问题就能得到答案.  相似文献   
3.
苏良碧  杨卫桥  董永军  徐军  周国清 《物理学报》2004,53(11):3956-3960
应用TGT法生长了直径为75mm的U:CaF2晶体,宏观上透明完整.应用公式K0=Cs/Cl计算了U在CaF2晶体中的分凝系数等于0.53.应用溶质分布一般公式Cs=K0C0(1-g)K0-1,计算U的浓度分布与测量值,数值符合说明晶体生长过程接近平衡状态.分析不同条件下生长的U: CaF2晶体的晶胞参数和吸收光谱,结果表明生长气氛决定U的价态及电荷补偿机理:无PbF2存在的条件下,U为+4价,晶体呈绿色;PbF2的加入起到氟化去氧作用,U倾向于以离子半径最接近于Ca2+的U3+存在,晶体呈红色.从晶体生长开始到结束的部位,U3+:CaF2晶体吸收光谱的峰位不变,峰强呈现与U浓度相同的增加趋势.U3+:CaF2晶体外层厚约5mm处呈黄色,含有U3+和U2+的混合价态离子,其原理是石墨坩埚的还原作用通过单质铅,使部分的U3+进一步还原成了U2+. 关键词: 铀 氟化钙晶体 分凝系数 晶胞参数  相似文献   
4.
组合DEA方法与成熟度模型对项目效益的评价   总被引:2,自引:0,他引:2  
为全面考虑资金、管理决策能力等因素对项目效益的影响,本运用数据包络分析与项目成熟度模型结合的方法来对企业各个项目之间的相对效益进行评价,应用结果表明该评价方法对于企业资源的最优配置、提高总体效益是十分有用的。  相似文献   
5.
This article examines the length of the cycles in the gross domestic product (GDP) real per capita series of 15 countries by means of new statistical techniques based on unit root cycles. We propose tests for unit root cycles at each of the frequencies of the process. Using this approach, we are able to approximate the number of periods per cycle. The results show that the cycles have a periodicity of approximately six years when the disturbances are white noise. However, if we permit autocorrelation, they may also occur at smaller intervals of time. Copyright © 2006 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
6.
浅谈防空夜视装备的发展   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
王建华 《应用光学》2004,25(4):29-30
针对我军现代夜间反空袭作战的制约瓶颈——缺乏夜视装备,提出在预警领域采用被动红外周视扫描系统,在先进的火控领域采用制冷式红外热成像系统.在老式的防空火控系统上利用微光和非制冷红外技术进行改造的方案比较符合我国国情,也是比较现实和可行的。  相似文献   
7.
压缩偶相干态的制备及其非经典特性   总被引:12,自引:3,他引:9       下载免费PDF全文
嵇英华 《物理学报》2003,52(2):332-336
通过保持非耗散介观LC电路的固有频率不变,而使电路参数作阶跃函数变化,就可将介观LC电路由初始的偶相干态制备到压缩偶相干态;在压缩偶相干态下,介观电路系统不仅有非经典的量子压缩效应,而且有非经典的反聚束效应. 关键词: 介观LC电路 单位阶跃函数 压缩算符 压缩偶相干态  相似文献   
8.
工况图在热电厂的设计和运行中具有广泛的用途。本文根据引进型双抽非再热200MW供热机组的技术特点,通过编程在纯凝汽工况、单抽工业抽汽工况、单抽采暖抽汽工况和双抽供热等典型变工况计算的基础上,完成了当新蒸汽负荷、工业抽汽负荷和采暖抽汽负荷发生改变时的变工况计算,并绘制了该机组的运行工况图.  相似文献   
9.
郑奎松  葛德彪 《物理学报》2006,55(6):2789-2793
对于具有周期单元的分层介质材料高反射区的波长范围,提供一种简明的估计分析方法.基于Floquet定理,分析了有限周期单元分层介质的光子带隙特性,给出分层介质的高反射区波长范围.讨论了分层介质高反射区和周期单元禁带之间的关系.计算表明,高反射区和周期单元禁带的中心波长彼此一致.并且,随着分层介质周期单元数的增多,高反射区的深度和带宽就越接近于周期单元禁带的深度和宽度.最后,讨论周期分层介质的光子带隙特性与入射角及其与极化的变化关系. 关键词: 分层介质 带隙特性 周期单元 高反射区  相似文献   
10.
C波段平面异向介质设计及其后向波特性验证   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
孟繁义  吴群  吴健 《物理学报》2006,55(5):2200-2205
提出了一种工作在C波段的新型平面结构异向介质,它除了带宽宽和损耗小外,还具有体积小、结构简单的优点,而且能够实现工作频段的平移,频率平移范围为4—20 GHz.基于电磁波由自由空间入射半无限大异向介质平板的传输和反射数据,计算出了电波在其中传播时的相速随频率的变化曲线,结果表明所讨论的异向介质确实在预想的频段上表现出后向波特性;同时利用相位观察法进一步验证了上述的后向波特性,从而肯定了异向介质的存在. 关键词: 异向介质 宽频带 小单元 后向波特性  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号